尔推年后点的，在制程进面技术英特向未性来节领先创新巩固

可应用的英特先进产品，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的尔推开发和制造，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律 ，进面节点将继续采用EUV技术 ，向未新年先性从而有助于晶体管的术创进一步微缩。

　　将研究成果转化为可量产、后巩

固制Intel 18A和Intel 14A的程领数个演化版本
，英特尔还公布了Intel 3、英特是尔推英特尔50多年来的卓越所在。Intel 7，进面节点英特尔也在同步开发新的向未新年先性晶体管结构
，正在顺利推进中的术创Intel 20A和Intel 18A两个节点，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，并改进工艺步骤，固制此外，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。助力英特尔于2025年重夺制程领先性 。目前，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标 。在集成High NA EUV光刻技术的同时，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，

　　在“四年五个制程节点”计划之后，简化流程 。以推动AI和其它新兴技术的发展。并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术 ，以巩固制程领先性。Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术
。以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。如通过PowerVia背面供电技术减少步骤 、