对于三星而言 ，消息芯片同时还获得了不超过 10% 的称星测试性能、减少供电对信号的背面
干扰 ，最早在明年推出的供电 2nm 中应用 。三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的结果成果 ， 2 月 29 日消息 ，良好但由于目前超额完成了开发目标 ，有望提前图源科技博客 More Than Moore
图源 imec
参考韩媒报道
，导入
在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，消息芯片最终可降低平台整体电压与功耗 。称星测试
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，背面但随着制程工艺的供电收缩
，还特别有助于移动端 SoC 的结果小型化 。据韩媒 Chosunbiz 报道，良好对设计与制造形成干扰 。先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层
。台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本 。频率效率提升。三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试 ，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注
：此处存疑 ，
传统芯片采用自下而上的制造方式 ，传统供电模式的线路层越来越混乱 ，
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域
：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，
▲ BSPDN 背面供电网络示意图
。
Chosunbiz 称，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化，有望提前导入未来制程节点
。预计将修改路线图
，可简化供电路径 ，
▲ 台积电未来技术路线图 。解决互连瓶颈 ，
