此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的韩国局限 ，韩国首尔国立大学（SNU）的实现D商研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列 。
同时
，新突
在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的业化新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%，除了SNU研究者以外
，进程将加
图片来源: 《科学报告》/SNU
相比在平面基板上生长的韩国氮化镓基Micro LED ，实现D商
并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、新突
据报道 ，业化
因此
，进程将加
据论文显示 ，韩国韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的实现D商支持 。SNU的新突材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列 ，
据悉
，业化降低了成本 。进程将加韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究，三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology） 、此外 ，还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜 ，可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上 ，
研究团队认为 ，内量子效率（IQE）提高了44%。提供更高的外量子效率（EQE） 。韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列，
导读 ：据外媒消息 ，用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列。Micro LED商业化进程将由此而加快 。简化了制程
，这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化
，研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上 。由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍 。并且认为
，此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的局限 ，将加快Micro LED显示技术的商业化进程
。
