自5纳米制程开始一直存在良率问题
，星携量产进度陷入瓶颈。手美善纳是米良
由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的
。三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间 ，率希帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进 。望赶
三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的超台问题 ，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来
，积电
报道中称 ，星携良率不超过20% ，手美善纳该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上 。米良
这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术 。率希ESD是望赶造成半导体芯片缺陷的主要原因之一
， 援引韩媒Naver报道 ，超台积电
三星已经与美国的星携SiliconFrontlineTechnology公司合作 ，三星电子先进制程良率非常低，该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术 。以便于在3纳米工艺上赶超台积电
。
IT之家了解到 ，在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕 。以提高其半导体芯片在生产过程中的良率 ，因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，据报道 ，并取得了令人满意的结果 。
