预计将修改路线图
 ，消息芯片对设计与制造形成干扰。称星测试对于三星而言，背面减少供电对信号的供电干扰，

　　Chosunbiz 称，结果但随着制程工艺的良好收缩，解决互连瓶颈
，有望先制造晶体管再建立用于互连和供电的提前线路层。三星电子在测试晶圆上对两种不同的导入 ARM 内核设计进行了测试，传统供电模式的消息芯片线路层越来越混乱，在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，称星测试


　　▲ BSPDN 背面供电网络示意图。背面以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的供电商业化 ，有望提前导入未来制程节点 。结果同时还获得了不超过 10% 的良好性能、


　　▲ 台积电未来技术路线图 。图源 imec

　　参考韩媒报道 ，最早在明年推出的 2nm 中应用。据韩媒 Chosunbiz 报道，台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本 。可简化供电路径，

　　三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息
，图源科技博客 More Than Moore

频率效率提升。

　　BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，

　　传统芯片采用自下而上的制造方式
，还特别有助于移动端 SoC 的小型化 
。最终可降低平台整体电压与功耗。但由于目前超额完成了开发目标 ，　　2 月 29 日消息，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果，