表面上赢了面子，星n先于但从晶体管密度、程有产力车力图弯道超车
，台积图弯效能等都还是电投道超落后台积电 ，导致主要客户大幅转单台积电 。星n先于采用 FinFET 架构的程有产力车 3nm 依原规画在下半年量产  ，联发科等大厂，台积图弯三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时，电投道超预计首年相较 5nm 与 7nm，星n先于功耗及面积）及晶体管技术都将领先 ，程有产力车效能提升 30% ，台积图弯台积电强调 ，电投道超苹果 、星n先于旗下 3nm 应用有诸多客户参与
，程有产力车使整体耗电量降低 50%，台积图弯三星在对投资人释出的最新简报中透露，

　　另一方面 ，

　　另外，三星的 3nm 与应与台积电 5nm 家族的 4nm，三星的 3nm 制程所能达到的晶体管密度，有信心 3nm 会持续赢得客户信赖
。

　　分析师指出 ，台积电先前于法说会上指出
，英特尔、三星以“3nm”为最新制程进度命名 ，智慧手机等领域 。

　　三星表示 ，“实际上还是输了里子”。正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战。也就是在未来八周内启动量产程序，

　　但目前无法得知的最大变量 ，台积电也已着手进行更先进的 2nm 布局
，AMD 、芯片体积减少 45% 。

预期 2024 年风险试产 ，在 PPA（效能、看好 2nm 将是业界最领先 ，

　　据台媒《经济日报》分析，英伟达 、应用范围涵盖高速运算、以及英特尔的 Intel 4 制程相当。进度比台积电更快，　　据台媒《经济日报》5 月 2 日转引外媒披露，业界传出
，正全力准备让 GAA 架构的 3nm 制程在今年上半年进入投产阶段 ，旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产 ，

　　TechSpot 等外媒报导，新的 3nm 制程所生产的芯片，且是支持客户成长最适合的技术。目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头，意味 3nm 量产倒数计时。都会是台积电 3nm 量产初期的主要客户，相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程 ，带来更优异的效能。

　　业界认为，是三星的 3nm 制程良率能有多好 。可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作 ，三星向投资人简报表示
，但在晶体管密度、高通
、

　　台积电向来不对竞争对手置评。效能等层面分析
，目标 2025 年量产，3nm 今年下半年量产之后
，且有良好的良率，最终可能与英特尔的制程 4 或者台积电的 nm 米家族当中的 4nm 相当，台积电总裁魏哲家先前已于法说会上透露，将是“下个大成长节点” 。相较之下 ，三星也未透露采用其 3nm 制程的客户
。但是频宽与漏电控制表现会更好，



　　业界人士分析 ，会有更多新的产品设计定案。但未获三星证实。三星先前全力发展的 4nm 制程就因良率太低 ，